常用(yòng)的(de)繼電(diàn)器(qβ×&ì)、可(kě)控矽以及高(gāo)頻(pín)時(shí→♦)鐘(zhōng)等，都(dōu)可(kě)能(né ♦★≥ng)成為(wèi)小(xiǎo)家(jiā)電(diàn)α≠控制(zhì)闆的(de)自(zì)身(shēn)幹擾源。✘☆ 對(duì)于以上(shàng)幹擾，其解決方法可(kě)以從(cón₩∏g)以下(xià)方面人(rén)手來(lái)Ω✘完成： 

(1) 在繼電(diàn)器(qì)線圈增加續流二極管，消除斷開(kāi)‌​ ∏線圈時(shí)産生(shēng)的(de)反電(diàn)動勢幹 ♣↔§擾 。

(2) 在繼電(diàn)器(qì)接點兩端并接火(huǒ)花(huā)∞ 抑制(zhì)電(diàn)路(lù) ( 一(y‍≤•∞ī)般是(shì)RC串聯電(diàn)路(lù)，電(diàn)阻一≤✘(yī)般選幾千歐到(dào)幾十千歐，電(di✘Ω₩àn)容選0.01 μ F)  $‌，以減小(xiǎo)電(diàn)火(huǒ)花(huā)影(y$±ǐng)響。 

(3) 在電(diàn)路(lù)闆上(shàng)每 個(gè) IC上(s₩γ→hàng)并接一(yī)個(gè) 0.01μF ～ 0.1&aφ₹♠$mp;mu; F 高(gāo) 頻(pín)電(diàn) 容₽€✘， 以減小(xiǎo) IC 對(duì)電(diàn) 源的(de)影(yǐ‌¥™←ng)響。但(dàn)應注意高(gāo)頻&✘(pín)電(diàn)容的(de)布線，連線應靠近(jìn)電 ∏&←(diàn)源端并盡量粗短(duǎn)，否則，等于增大(dà)了(le)電 "₩(diàn)容的(de)等效串聯電(diàn)阻，而這(zhè★€ε≈)會(huì)影(yǐng)響濾波效果。

(4) 布線時(shí)應避免90度折線，"λ♦并盡量減少(shǎo)高(gāo) 頻(pín) 噪聲 ≥<©發 射。

(5) 在可(kě)控矽兩端并接RC抑制(zhì)電(§γγdiàn)路(lù)，減小(xiǎo)可(kě)控矽←π♠α産生(shēng)的(de)噪聲 ( 該噪聲嚴重時(shí)可(kě ‍≈₽)能(néng)會(huì)把可(kě)控矽擊穿的(de) ) 。

(6) 注意晶振布線 。晶振與芯片引腳應盡量靠近(j죮n)，并用(yòng)地(dì)線把時(shí±σ)鐘(zhōng) 區(qū)隔離(lí)起來(lái)，晶振外(wài)φ♥≠∏殼要(yào)接地(dì)并固定。 最好(hǎo)在能(néng)使用π↑​φ(yòng)低(dī)速晶振的(de) 場(c₹•αhǎng) 合盡可(kě)能(néng) 選 用(yòng)低(dī)速晶振。✔​∞

(7) 對(duì)電(diàn) 路(lù)闆合理(lǐ)分(fē α→'n)區(qū) ( 如(rú)強 、弱信号，數(shù)字 ♣、模拟信号 ) 。盡可(kě)能(néng)把幹擾源≈♠δσ ( 如(rú)電(diàn)機(jī)、繼電(diàn)♠'器(qì) ) 與敏感元件(jiàn) ( 如(rú)單 ∏↓片機(jī) ) 遠(yuǎn)離(lí)。

(8) 交流端用(yòng)電(diàn)感電(diàn)容濾波₽ ：去(qù)掉高(gāo)頻(pín)低(dī)頻(pín)幹擾脈沖， ∞‌‍VCC和(hé)GND之問(wèn)接電(diàn)解電(diàn)容及瓷片ε♣↕ 電(diàn)容，以去(qù)掉 高(gāo)、低(dī)頻‌≤​(pín)幹擾信号。